Zdjęcie: Alexandre Debiève / Unsplash
Samsung zamierza być pierwszym, który ukończy pracę nad pamięcią DRAM według normy 1d nm już we wrześniu 2026 roku. To krok do przodu — i też wyścig ze zbiegającym czasem konkurencji.
Harmonogram jest napięty, ale do zrealizowania. W grudniu tego samego roku producent przejdzie do etapu przygotowania do produkcji masowej. Budowa linii produkcyjnych ruszy w pierwszej połowie 2027, a pierwsze seryjne układy scalone powinny opuścić fabrykę pod koniec 2027 roku.
Wyścig o technologiczne pierwszeństwo
Kontekst tej bitwy jest istotny. SK hynix zdobył pierwsze miejsce w branży, kończąc prace nad DRAM 1c nm. Samsung nie ma zamiaru stracić kolejnego pokolenia techniki — właśnie dlatego stawia na agresywną kampanię przy następnym etapie, czyli rozwiązaniach 1d nm.
U konkurenta prace wciąż trwają. SK hynix testuje scalność produkcji swoich chipów i spodziewać się można zakończenia prac dopiero w grudniu 2026 roku — trzy miesiące po Samsungu.
Pamięć dla sztucznej inteligencji
Nowa technologia ma bezpośrednie przełożenie na rynek acceleratorów AI. Samsung planuje wkomponować pamięć 1d nm w układy HBM5E — bądź co bądź, wczesne opanowanie bazowej technologii daje solidną przewagę przy opracowywaniu następnych generacji ultra-szybkiej pamięci dla procesorów sztucznej inteligencji.
W branży, gdzie każdy miesiąc przewagi konkurencyjnej liczy się na miliardy dolarów, takiego okna czasowego nie marnuje się