Samsung wprowadza 256 gigabitową pamięć flash 3D V NAND
Firma Samsung uruchomiła masową produkcję pierwszej w branży 256‑gigabitowej (Gb) pamięci flash w trójwymiarowej pionowej architekturze NAND (3D V-NAND), zbudowanej z 48 warstw 3‑bitowych wielopoziomowych komórek…